Módulo de potencia SiC, N-Canal Littelfuse IXFP36N60X3, VDSS 12 V, ID 36 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 245-7009
- Nº ref. fabric.:
- IXFP36N60X3
- Fabricante:
- Littelfuse
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- Código RS:
- 245-7009
- Nº ref. fabric.:
- IXFP36N60X3
- Fabricante:
- Littelfuse
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Littelfuse | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 36A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 12V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 90mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 446W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8V | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Littelfuse | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 36A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 12V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 90mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 446W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8V | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Este producto Littelfuse es un MOSFET de unión ultra clase 600V X3 disponible en corriente nominal de 36A A y en encapsulado 220. Estos MOSFET de potencia disponen de resistencia de canal RDS ON y carga de puerta QG significativamente reducida. Disponen de las cifras más bajas de mérito RDS ON y RDS ON. Estas ventajas permiten a los diseñadores lograr una mayor eficiencia utilizando un diseño térmico simplificado. Esta serie HiPerFET de MOSFET de potencia dispone de diodos de cuerpo que ofrecen una carga de recuperación inversa baja y un tiempo de recuperación inversa corto.
Pérdidas estáticas bajas
Ideal para aplicaciones de alta frecuencia
Diseño térmico simplificado
Alta resistencia contra sobretensión
Baja demanda de potencia de accionamiento de puerta
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