Transistor MOSFET Toshiba 2SK2611, VDSS 900 V, ID 9 A, TO-3PN de 3 pines

La imagen representada puede no ser la del producto

No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
Código RS:
247-9004
Nº ref. fabric.:
2SK2611
Fabricante:
Toshiba
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Toshiba

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

9 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

900 V

Tipo de Encapsulado

TO-3PN

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,4 Ω

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

150 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

58 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Longitud

15.9mm

Ancho

4.8mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

19mm

Estado RoHS: No cumple