MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 12 V, ID 55 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- Código RS:
- 248-4900
- Nº ref. fabric.:
- STL325N4LF8AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 248-4900
- Nº ref. fabric.:
- STL325N4LF8AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 55A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 12V | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Serie | STL | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 45mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 41nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 188W | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.9 mm | |
| Longitud | 6mm | |
| Certificaciones y estándares | UL | |
| Altura | 1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 55A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 12V | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Serie STL | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 41nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 188W | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.9 mm | ||
Longitud 6mm | ||
Certificaciones y estándares UL | ||
Altura 1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El producto de STMicroelectronics es un MOSFET de potencia de canal N que utiliza la tecnología STripFET F8 con una estructura de puerta de trinchera mejorada. Garantiza una resistencia de estado activo muy baja al tiempo que reduce las capacitaciones internas y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.
Se utiliza para aplicaciones de conmutación
Grado MSL1
Calificado AEC-Q101
175 grados C de temperatura de funcionamiento
100 por ciento a prueba de avalancha
Paquete flanco humedecible
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