MOSFET, Tipo N-Canal Wolfspeed C3M0060065K, VDSS 1200 V, ID 10.7 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- Código RS:
- 248-8939
- Nº ref. fabric.:
- C3M0060065K
- Fabricante:
- Wolfspeed
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- Código RS:
- 248-8939
- Nº ref. fabric.:
- C3M0060065K
- Fabricante:
- Wolfspeed
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 21mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 469W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 46nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 23.63mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 5.21mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 21mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 469W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 46nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 23.63mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 5.21mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La tecnología MOSFET C3MTM de carburo de silicio de potencia Wolfspeed está en modo de mejora de canal N. Los MOSFET de 650 V Wolfspeeds están optimizados para aplicaciones de electrónica de potencia de alto rendimiento, incluidas fuentes de alimentación de servidor, sistemas de carga de vehículos eléctricos y mucho más.
Tecnología SiC MOSFET de 3a generación
Tensión de bloqueo alta con baja resistencia de encendido
Conmutación de alta velocidad con bajas capacitancias
Diodo intrínseco rápido con baja recuperación inversa (Qrr)
Sin halógenos, conforme a RoHS
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