MOSFET Infineon IMBG65R260M1HXTMA1, VDSS 650 V, ID 6 A, TO-263-7 de 7 pines

El MOSFET SiC de Infineon es un CoolSiC de 650 V construido sobre la tecnología de carburo de silicio sólido, aprovechando las características del material SiC de amplio margen de banda. El MOSFET CoolSiC de 650 V ofrece una combinación única de rendimiento, fiabilidad y facilidad de uso, adecuado para altas temperaturas y operaciones hostiles, permite el despliegue simplificado y rentable de la máxima eficiencia del sistema.

Comportamiento de conmutación optimizado a corrientes más altas
Diodo de cuerpo rápido de conmutación robusto con bajo Qf
Fiabilidad de óxido de puerta superior
Tj, máx. -175 °C y comportamiento térmico excelente
RDS(on) más bajo y dependencia de corriente de impulsos en función de la temperatura
Mayor capacidad de avalancha
Compatible con controladores estándar
La fuente Kelvin proporciona hasta 4 veces menos pérdidas de conmutación