MOSFET STMicroelectronics STP60N043DM9, VDSS 600 V, ID 56 A, TO-220 de 3 pines

El producto de STMicroelectronics es un MOSFET de potencia de canal N basado en la tecnología MDmesh DM9 de superconexión más innovadora, adecuado para MOSFET de media o alta tensión con RDS muy bajo por área acoplado con un diodo de recuperación rápida. La tecnología DM9 basada en silicio se beneficia de un proceso de fabricación de drenaje múltiple que permite una estructura de dispositivo mejorada. El diodo de recuperación rápida con carga de recuperación muy baja, tiempo y RDS activado hace que este MOSFET de potencia de superconexión de conmutación rápida se adapte para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de desplazamiento de fase ZVS.

Diodo de cuerpo de recuperación rápida
Mejor RDS del mundo por área entre los dispositivos de recuperación rápida basados en silicio
Baja carga de puerta, capacitancia de entrada y resistencia
Probado 100 por ciento para avalancha
Extrema resistencia dv/dt