MOSFET, N-Canal ROHM, VDSS 200 V, ID 10.7 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
249-1134P
Nº ref. fabric.:
RCJ451N20TL
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

10.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-263

Serie

RCJ451N20

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de alimentación de canal N ROHM con baja resistencia de conexión y velocidad de conmutación rápida, es ideal para aplicaciones de conmutación, tiene una tensión de fuente de drenaje de 200 V y una corriente de drenaje de 45 A, tipo de encapsulado de cinta.

Baja resistencia

Velocidad de conmutación rápida

Fácil de usar en paralelo

Chapado sin plomo

Conformidad con RoHS

100 por ciento de avalancha probada

Circuitos de accionamiento sencillos

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