MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AUIRF1404Z, VDSS 75 V, ID 230 A, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 249-6866
- Nº ref. fabric.:
- AUIRF1404Z
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
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| 1 - 9 | 4,02 € |
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| 25 - 49 | 3,65 € |
| 50 - 99 | 3,50 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 249-6866
- Nº ref. fabric.:
- AUIRF1404Z
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 230A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Serie | AUIRFS | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 16.51mm | |
| Altura | 4.83mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 10.67 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 230A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Serie AUIRFS | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 16.51mm | ||
Altura 4.83mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 10.67 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Otras características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado.
Tecnología de procesos avanzados
Resistencia de conexión ultrabaja
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Conmutación rápida
Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
Sin plomo, conformidad con RoHS
Calificación de automoción