MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIR4608LDP-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 43.4 A, Reducción, PowerPAK 1212-8 de 8 pines
- Código RS:
- 252-0280
- Nº ref. fabric.:
- SIR4608LDP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
8,16 €
(exc. IVA)
9,875 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 6035 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,632 € | 8,16 € |
| 50 - 245 | 1,534 € | 7,67 € |
| 250 - 495 | 1,39 € | 6,95 € |
| 500 - 1245 | 1,306 € | 6,53 € |
| 1250 + | 1,226 € | 6,13 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 252-0280
- Nº ref. fabric.:
- SIR4608LDP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 43.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.01mΩ | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 56nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 43.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.01mΩ | ||
Modo de canal Reducción | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 56nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Longitud 6.15mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
La línea de productos de MOSFET Vishay Siliconix incluye una amplia gama de tecnologías avanzadas. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El efecto de campo significa que están controlados por tensión. Los MOSFET de canal N contienen electrones adicionales que pueden moverse libremente. Son un tipo de canal más popular. Los MOSFET de canal N funcionan cuando se aplica una carga positiva al terminal de puerta.
MOSFET de potencia TrenchFET Gen V
RDS muy bajo - valor de mérito (FOM) Qg
Sintonizado para el RDS más bajo - FOM Qoss
100 % comprobación Rg y UIS
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Reducción, PowerPAK 1212-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Reducción, PowerPAK 1212-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Reducción, PowerPAK 1212-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Reducción, PowerPAK 1212-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Reducción, PowerPAK 1212-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Reducción, PowerPAK 1212-8PT de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Reducción, PowerPAK 1212-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Reducción, PowerPAK 1212-8 de 8 pines