MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQS160ELNW-T1_GE3, VDSS -40 V, ID 141 A, Mejora, PowerPAK 1212-8SLW de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
252-0322
Nº ref. fabric.:
SQS160ELNW-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

141A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-40V

Encapsulado

PowerPAK 1212-8SLW

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.01mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

192W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

94nC

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.15mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Los MOSFET de automoción de Vishay se fabrican en un flujo de proceso dedicado para una robustez estándar. Clasificada con una temperatura de unión máxima de 175 °C, la serie SQ Vishay Siliconix con certificación AEC-Q101 dispone de tecnologías FET de trinchera de canal n y p de baja resistencia de conexión en encapsulados SO sin plomo (Pb) y sin halógenos.

MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV

Con certificación AEC-Q101

100 % comprobación Rg y UIS

Terminales de flanco humedecibles

Resistencia térmica baja con perfil de 0,75 mm

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