MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 20 A, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 256-7330
- Nº ref. fabric.:
- IRLIZ34GPBF
- Fabricante:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 100 - 450 | 1,434 € | 71,70 € |
| 500 - 950 | 1,172 € | 58,60 € |
| 1000 - 1950 | 0,954 € | 47,70 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 256-7330
- Nº ref. fabric.:
- IRLIZ34GPBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.028Ω | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 4.8mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.028Ω | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 4.8mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El mosfet de potencia de tercera generación de Vishay Semiconductor proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia de conexión y rentabilidad. El TO-220 FULLPAK elimina la necesidad de hardware de aislamiento adicional en aplicaciones comerciales e industriales. El compuesto de moldeado utilizado proporciona una alta capacidad de aislamiento y una baja resistencia térmica entre la lengüeta y el disipador térmico externo.
Encapsulado aislado
El aislamiento de alta tensión es de 2,5 kVRMS
La distancia entre el disipador y el cable es de 4,8 mm
Unidad de puerta de nivel lógico
Conmutación rápida
Fácil de paralelizar
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