MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 110 A, TO-252
- Código RS:
- 257-5550
- Nº ref. fabric.:
- IRFR7540TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | 0,478 € | 956,00 € |
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- Código RS:
- 257-5550
- Nº ref. fabric.:
- IRFR7540TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 110A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.8mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 86nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 140W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 110A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.8mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 86nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 140W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon tiene una resistencia dV/dt de puerta, avalancha y dinámica mejorada y un SOA de avalancha y capacitancia completamente caracterizado.
Capacidad de diodo de cuerpo dV/dt y dI/dt mejorada
Sin plomo, conforme con RoHS