MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 192 A, TO-220

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal 20 unidades (suministrado en tubo)*

28,80 €

(exc. IVA)

34,80 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 2250 unidad(es) más para enviar a partir del 13 de abril de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
20 - 481,44 €
50 - 981,35 €
100 - 1981,26 €
200 +1,165 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
257-9266P
Nº ref. fabric.:
IRF100B201
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

192A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.3mΩ

Tensión directa Vf

1.3V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La serie IRF de Infineon es la familia de mosfet de potencia IRFET resistente optimizada para RDS (encendido) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez.

Encapsulado de alimentación de orificio pasante estándar del sector

Corriente nominal alta

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz

Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio

Amplia cartera disponible