MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 195 A, TO-263

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Código RS:
257-9438P
Nº ref. fabric.:
IRFS7530TRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

195A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-263

Serie

HEXFET

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

274nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

La serie IRFS de Infineon es el mosfet de potencia HEXFET de un canal n de 60 V en un encapsulado D2 Pak.

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Optimizado para tensión de accionamiento de puerta de 10 V (llamado nivel normal)

Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz

Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio

Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector

Capacidad de soldadura por ola