MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPW60R099C7XKSA1, VDSS 600 V, ID 22 A, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 258-3907
- Nº ref. fabric.:
- IPW60R099C7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 258-3907
- Nº ref. fabric.:
- IPW60R099C7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 22A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | IPW | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 99mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 22A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie IPW | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 99mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie de MOSFET de superunión CoolMOS C7 de 600 V de Infineon ofrece una reducción del 50 % en las pérdidas de desconexión en comparación con el CoolMOS CP, lo que ofrece un nivel de rendimiento excepcional en PFC, TTF y otras topologías de conmutación difícil. El MOSFET es también una combinación perfecta para diseños de cargador de alta densidad de potencia. Aplicaciones de eficiencia y TCO como hipercentros de datos y rectificadores de telecomunicaciones de alta eficiencia (>96%) se benefician de la mayor eficiencia que ofrece CoolMOS C7. Se pueden conseguir ganancias del 0,3 % al 0,7 % en topologías PFC y del 0,1 % en LLC. En el caso de una PSU de servidor de 2,5 kW, por ejemplo, el uso de MOSFET CoolMOS C7 SJ de 600 V en un encapsulado de 4 pines TO-247 puede dar lugar a una reducción de los costes de energía de ∼10 % para la pérdida de energía de la PSU.
Mayor frecuencia de conmutación
Mejor R (on)A del mundo
Diodo de cuerpo resistente
Medida que muestra el parámetro clave para carga ligera y eficiencia de carga completa
El doble de frecuencia de conmutación reduce a la mitad el tamaño de los componentes magnéticos
Encapsulados más pequeños para el mismo R DS(on)
Se puede utilizar en muchas más posiciones para topologías de conmutación dura y suave