MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPF014N08NF2SATMA1, VDSS 80 V, ID 282 A, N, TO-263
- Código RS:
- 259-2614
- Nº ref. fabric.:
- IPF014N08NF2SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 282A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | IPF | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 282A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie IPF | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de potencia Infineon StrongIRFET 2 están optimizados para una amplia gama de aplicaciones como SMPS, accionamiento de motor, alimentación por batería, gestión de baterías, SAI y vehículos eléctricos ligeros. Esta nueva tecnología ofrece hasta un 40 por ciento de mejora de RDS(on) y hasta un 60 por ciento de Qg inferior en comparación con los dispositivos StrongIRFET anteriores, lo que se traduce en una mayor eficiencia de potencia para mejorar el rendimiento general del sistema. El aumento de las corrientes nominales permite una mayor capacidad de transporte de corriente, lo que elimina la necesidad de paralelizar varios dispositivos, lo que se traduce en menores costes de BOM y ahorros de placa.
Amplia disponibilidad de socios de distribución
Excelente relación precio/rendimiento
Ideal para frecuencias de conmutación altas y bajas
Encapsulado de orificio pasante estándar de la industria
Corriente nominal alta