MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 8 A, TO-220 de 3 pines

Subtotal (1 tubo de 500 unidades)*

775,50 €

(exc. IVA)

938,50 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es)
Por unidad
Por Tubo*
500 +1,551 €775,50 €

*precio indicativo

Código RS:
260-1217
Nº ref. fabric.:
IPP60R065S7XKSA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-220

Serie

IPP

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

65mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

51nC

Disipación de potencia máxima Pd

167W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.82V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

4.57mm

Anchura

9.45 mm

Longitud

10.36mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Infineon permite el mejor rendimiento de precio para aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. CoolMOS S7 cuenta con los valores de Rdson más bajos para un MOSFET HV SJ, con un aumento distintivo de eficiencia energética. CoolMOS S7 está optimizado para aplicaciones de "conmutación estática" y alta corriente. Es ideal para diseños de relés de estado sólido y disyuntores, así como para rectificación de línea en topologías de SMPS e inversores.

Capacidad de corriente de impulso alta

Mayor rendimiento del sistema

Diseño más compacto y sencillo

BOM y/o TCO inferiores durante un tiempo de vida útil prolongado

Resistencia a golpes y vibraciones

Enlaces relacionados