MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPTG044N15NM5ATMA1, VDSS 150 V, ID 174 A, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 260-2676
- Nº ref. fabric.:
- IPTG044N15NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 260-2676
- Nº ref. fabric.:
- IPTG044N15NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 174A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | IPT | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.4mΩ | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 71nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 174A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie IPT | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.4mΩ | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 71nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon se suministra en el encapsulado con cable TO mejorado con cables Gullwing que tienen una huella compatible con TO sin cable que permite un excelente rendimiento eléctrico. Se trata de la mejor tecnología de su clase con una corriente nominal alta.
Bajo nivel de sonido acústico y exceso de tensión
Capacidad de alto rendimiento
Alta fiabilidad del sistema
Alta eficiencia y EMI inferior
Aprovechamiento de placa optimizado