MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 20 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 261-4760P
- Nº ref. fabric.:
- STP65N150M9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal 10 unidades (suministrado en tubo)*
22,30 €
(exc. IVA)
27,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 94 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 10 - 99 | 2,23 € |
| 100 - 499 | 2,21 € |
| 500 - 999 | 2,18 € |
| 1000 + | 2,16 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 261-4760P
- Nº ref. fabric.:
- STP65N150M9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 150mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 32nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 28.9mm | |
| Altura | 4.6mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 150mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 32nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 28.9mm | ||
Altura 4.6mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de potencia de canal N de 650 V, 128 mOhm típ., 20 A MDmesh M9 en un encapsulado TO-220
Este MOSFET de potencia de canal N se basa en la tecnología MDmesh M9 de superunión más innovadora, adecuada para MOSFET de media/alta tensión con RDS(on) muy bajo por área. La tecnología M9 basada en silicio se beneficia de un proceso de fabricación de varios drenajes que permite una estructura de dispositivo mejorada. El producto resultante tiene uno de los valores de carga de puerta y resistencia de conexión más bajos entre todos los MOSFET de potencia de superconexión de conmutación rápida basados en silicio, por lo que es especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una eficiencia excepcional.
Todas las características
Enlaces relacionados
- Relé de seguridad Pilz PNOZ X PNOZ X2.8P de 1 para Bloqueo/interruptor de seguridad, 24 → 240V
- Detector de posición SMC D-A93 IP67
- Walkie Talkies Motorola RMP0166BHLAA 446MHZ
- Tubo fluorescente Sylvania Blanco Frío T8 1.350 lm, long. 600mm
- Pila 9V Alcalina 600mAh, terminal
- Pilas D de alcalina 1.5V terminal tipo
- Relé de seguridad Rockwell Automation Minotaur MSR127T de 2 canales 24V ac/dc, cat. seg. ISO
- Carril DIN Perforado de Acero RS PRO rail simétrico