MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 64 A, ACEPACK SMIT de 3 pines
- Código RS:
- 261-5481P
- Nº ref. fabric.:
- SH68N65DM6AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 261-5481P
- Nº ref. fabric.:
- SH68N65DM6AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 64A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | ACEPACK SMIT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 41mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 116nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 64A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado ACEPACK SMIT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 41mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 116nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- PH
La combinación de dos MOSFET de STMicroelectronics en una topología de medio puente. El ACEPACK SMIT es un módulo de alimentación muy compacto y resistente en un encapsulado de montaje superficial para un montaje sencillo. El sustrato DBC, el encapsulado ACEPACK SMIT ofrece una baja resistencia térmica junto con una almohadilla térmica aislada del lado superior. La alta flexibilidad de diseño del encapsulado permite varias configuraciones, incluidas patas de fase, impulso e interruptor único a través de diferentes combinaciones de los interruptores de alimentación internos.
Módulo de potencia de medio puente
Tensión de bloqueo de 650 V
Diodo de cuerpo de recuperación rápida
Energías de conmutación muy bajas
Baja inductancia de encapsulado
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