MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
261-5527P
Nº ref. fabric.:
STD80N340K6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

340mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17.8nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics en tecnología de superunión. Dispone de la mejor resistencia de conexión de su clase por área y carga de puerta para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.

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