Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 100 V, ID 125 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines

Código RS:: 261-5532P
Nº ref. fabric.:: STL120N10F8
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 100 V, ID 125 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines

Subtotal 2 unidades (suministrado en una tira continua)*

4,99 €

(exc. IVA)

6,038 €

(inc.IVA)

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €

Agotado temporalmente

Envío desde el 10 de agosto de 2027

¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)	Por unidad
2 +	2,495 €

*precio indicativo

Código RS:: 261-5532P
Nº ref. fabric.:: STL120N10F8
Fabricante:: STMicroelectronics

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	STMicroelectronics
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	125A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Encapsulado	PowerFLAT
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	4.6mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	56nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca STMicroelectronics
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 125A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Encapsulado PowerFLAT
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.6mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 56nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

Datasheet - STL120N10F8

COO (País de Origen):: CN

MOSFET de potencia STripFET F8 de modo de mejora de canal N de nivel estándar de 100 V, 4,6 mOhm máx., 125 A en un encapsulado PowerFLAT 5x6

Este MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics utiliza la tecnología STripFET F8 con una estructura de puerta de trinchera mejorada.;Garantiza una resistencia en estado activo muy baja al tiempo que reduce las capacitaciones internas y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.

Principales características:

Grado MSL1

;

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

;

100 % a prueba de avalancha

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.