Transistor MOSFET Renesas Electronics 2SK1317-E, VDSS 1.500 V, ID 7 A, SC-65 de 3 pines

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Código RS:
261-5960
Nº ref. fabric.:
2SK1317-E
Fabricante:
Renesas Electronics
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Marca

Renesas Electronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

7 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1.500 V

Serie

2SK1317

Tipo de Encapsulado

SC-65

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

12 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

COO (País de Origen):
MY
El canal N Renesas 2SK1317-E es un MOSFET de conmutación de potencia de alta velocidad. El MOSFET de canal N de silicio tiene una corriente de accionamiento baja y una alta tensión de ruptura, es decir, (Vdss=1.500 V).Es adecuado para regulador de conmutación, convertidor dc-dc y controlador de motor.

Temperatura de funcionamiento (máx.) = 150 °C
Disipación de potencia máxima = 100 W
Tensión de umbral de puerta máxima = 4 V

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