MOSFET, Tipo N-Canal Microchip, VDSS 300 V, ID 250 mA, MOSFET, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 264-8916
- Nº ref. fabric.:
- TN2130K1-G
- Fabricante:
- Microchip
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
789,00 €
(exc. IVA)
954,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 26 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,263 € | 789,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 264-8916
- Nº ref. fabric.:
- TN2130K1-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 250mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 300V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | MOSFET | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.36W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 250mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 300V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal MOSFET | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.36W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de canal N de Microchip de modo de mejora de umbral bajo (normalmente apagado) utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita tensión de umbral muy baja, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
Libre de averías secundarias
Requisito de accionamiento de baja potencia
Fácil paralelización
Velocidades de conmutación CISS bajas y rápidas
Excelente estabilidad térmica
Diodo de drenaje de fuente integrado
Alta impedancia de entrada y alta ganancia
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 300 V MOSFET, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 350 V MOSFET, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 350 V MOSFET, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 240 V MOSFET, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 240 V MOSFET, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 350 V MOSFET, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 350 V MOSFET, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET Microchip LND01K1-G ID 330 mA config. Simple