MOSFET, N-Canal Microchip, VDSS 100 V, ID 0.6 A, MOSFET, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 264-8943P
- Nº ref. fabric.:
- VN2110K1-G
- Fabricante:
- Microchip
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 50 - 90 | 0,564 € |
| 100 - 240 | 0,305 € |
| 250 - 990 | 0,30 € |
| 1000 + | 0,293 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 264-8943P
- Nº ref. fabric.:
- VN2110K1-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 0.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | VN2110 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6Ω | |
| Modo de canal | MOSFET | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.36W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.12mm | |
| Anchura | 1.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 0.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie VN2110 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6Ω | ||
Modo de canal MOSFET | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.36W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.12mm | ||
Anchura 1.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 2.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de modo de mejora (normalmente apagado) de canal P de umbral bajo de Microchip utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita tensión de umbral muy baja, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
Libre de averías secundarias
Requisito de accionamiento de baja potencia
Fácil paralelización
Velocidades de conmutación CISS bajas y rápidas
Alta impedancia de entrada y alta ganancia