MOSFET, Tipo N-Canal ROHM, VDSS 600 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 265-5414
- Nº ref. fabric.:
- R6013VND3TL1
- Fabricante:
- ROHM
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|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 0,935 € | 2.337,50 € |
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- Código RS:
- 265-5414
- Nº ref. fabric.:
- R6013VND3TL1
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | R6013VND3 NaN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.3Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 21nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 131W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS NaN | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie R6013VND3 NaN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.3Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 21nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 131W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS NaN | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia ROHM con una baja resistencia de encendido y encapsulado de alta potencia es adecuado para circuitos de conmutación, aplicaciones de batería de una célula y aplicaciones móviles.
Tiempo de recuperación inverso rápido (trr)
Baja resistencia de encendido
Velocidad de conmutación rápida
Los circuitos de accionamiento pueden ser sencillos
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