Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal ROHM, VDSS 20 V, ID 3 A, Mejora, SMM1006 de 3 pines

Código RS:: 265-5426
Nº ref. fabric.:: RA1C030LDT5CL
Fabricante:: ROHM

MOSFET, Tipo N-Canal ROHM, VDSS 20 V, ID 3 A, Mejora, SMM1006 de 3 pines

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Código RS:: 265-5426
Nº ref. fabric.:: RA1C030LDT5CL
Fabricante:: ROHM

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	ROHM
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Encapsulado	SMM1006
	Serie	RA1C030LD
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	140mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	1.5nC
	Disipación de potencia máxima Pd	1W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	Pb-free lead plating, RoHS
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca ROHM
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Encapsulado SMM1006
	Serie RA1C030LD
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 140mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.5nC
	Disipación de potencia máxima Pd 1W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares Pb-free lead plating, RoHS
	Estándar de automoción No

Datasheet - RA1C030LDT5CL

Los MOSFET ROHM con una baja resistencia de encendido y encapsulado de alta potencia son adecuados para circuitos de conmutación, aplicaciones de batería de una célula y aplicaciones móviles. Se monta en una placa de cobre y no contiene halógenos.

Baja resistencia de encendido

Encapsulado pequeño de alta potencia

Chapado de plomo sin plomo

Sin halógenos

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