MOSFET, Tipo N-Canal ROHM RA1C030LDT5CL, VDSS 20 V, ID 3 A, Mejora, SMM1006 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
265-5427
Nº ref. fabric.:
RA1C030LDT5CL
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SMM1006

Serie

RA1C030LD

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

140mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

+7 to -0.2 V

Disipación de potencia máxima Pd

1W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.5nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

Pb-free lead plating, RoHS

Estándar de automoción

No

Los MOSFET ROHM con una baja resistencia de encendido y encapsulado de alta potencia son adecuados para circuitos de conmutación, aplicaciones de batería de una célula y aplicaciones móviles. Se monta en una placa de cobre y no contiene halógenos.

Baja resistencia de encendido

Encapsulado pequeño de alta potencia

Chapado de plomo sin plomo

Sin halógenos

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