MOSFET, Tipo N-Canal ROHM SCT3040KRC15, VDSS 1200 V, ID 55 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- Código RS:
- 266-3884
- Nº ref. fabric.:
- SCT3040KRC15
- Fabricante:
- ROHM
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*precio indicativo
- Código RS:
- 266-3884
- Nº ref. fabric.:
- SCT3040KRC15
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 55A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 55A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET ROHM es un MOSFET SiC con una estructura de puerta de trinchera optimizada para una serie de aplicaciones, incluidas fuentes de alimentación de servidor, inversores de energía solar, fuentes de alimentación de modo conmutado, accionamientos de motor, calefacción por inducción y estaciones de carga EV que requieren alta eficiencia. Se utiliza un nuevo encapsulado de 4 contactos que separa los terminales de fuente de alimentación y de controlador, lo que permite maximizar el rendimiento de conmutación de alta velocidad. Esto mejora la pérdida de encendido en particular, y como resultado, las pérdidas totales de encendido y apagado se pueden reducir hasta un 35% en comparación con el encapsulado de 3 contactos convencional.
Baja resistencia de encendido
Velocidad de conmutación rápida
Fácil de accionar
Chapado de plomo sin plomo
Recuperación inversa rápida
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