MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP80N600K6, VDSS 800 V, ID 7 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
275-1356P
Nº ref. fabric.:
STP80N600K6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

STP

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

600mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.5V

Disipación de potencia máxima Pd

86W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10.7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

4.6mm

Longitud

28.9mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión de STMicroelectronics está diseñado utilizando la última tecnología MDmesh K6 basada en la tecnología de superunión. El resultado es el mejor de su clase en resistencia por área y carga de puerta para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.

Carga de puerta ultrabaja

Prueba de avalancha al 100 %

Protección Zener