MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP80N600K6, VDSS 800 V, ID 7 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 275-1356P
- Nº ref. fabric.:
- STP80N600K6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 275-1356P
- Nº ref. fabric.:
- STP80N600K6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislation and Compliance
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | STP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 600mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 86W | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10.7nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 10.4 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 28.9mm | |
| Altura | 4.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie STP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 600mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 86W | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10.7nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 10.4 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 28.9mm | ||
Altura 4.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión de STMicroelectronics está diseñado utilizando la última tecnología MDmesh K6 basada en la tecnología de superunión. El resultado es el mejor de su clase en resistencia por área y carga de puerta para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.
Carga de puerta ultrabaja
Prueba de avalancha al 100 %
Protección Zener