MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP80N900K6, VDSS 800 V, ID 6 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
285-5914
Nº ref. fabric.:
STP80N900K6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-220

Serie

STP

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

900mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

68W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

28.9mm

Altura

4.6mm

Anchura

10.4 mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal N de muy alto voltaje de STMicroelectronics está diseñado utilizando la última tecnología MDmesh K6 basada en 20 años de experiencia de STMicroelectronics en tecnología de superunión. El resultado es la mejor resistencia de conexión de su clase por área y carga de puerta para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.

Mejor RDS(on) a nivel mundial x área

Mejor FOM (cifra de mérito) a nivel mundial

Carga de puerta ultrabaja

100% prueba de avalancha

Con protección Zener

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