MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP80N900K6, VDSS 800 V, ID 6 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 285-5915P
- Nº ref. fabric.:
- STP80N900K6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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*precio indicativo
- Código RS:
- 285-5915P
- Nº ref. fabric.:
- STP80N900K6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | STP | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 900mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 68W | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 10.4 mm | |
| Altura | 4.6mm | |
| Longitud | 28.9mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie STP | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 900mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 68W | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 10.4 mm | ||
Altura 4.6mm | ||
Longitud 28.9mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de muy alto voltaje de STMicroelectronics está diseñado utilizando la última tecnología MDmesh K6 basada en 20 años de experiencia de STMicroelectronics en tecnología de superunión. El resultado es la mejor resistencia de conexión de su clase por área y carga de puerta para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.
Mejor RDS(on) a nivel mundial x área
Mejor FOM (cifra de mérito) a nivel mundial
Carga de puerta ultrabaja
100% prueba de avalancha
Con protección Zener