MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP80N900K6, VDSS 800 V, ID 6 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
285-5915P
Nº ref. fabric.:
STP80N900K6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

STP

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

900mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7nC

Disipación de potencia máxima Pd

68W

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

4.6mm

Longitud

28.9mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal N de muy alto voltaje de STMicroelectronics está diseñado utilizando la última tecnología MDmesh K6 basada en 20 años de experiencia de STMicroelectronics en tecnología de superunión. El resultado es la mejor resistencia de conexión de su clase por área y carga de puerta para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.

Mejor RDS(on) a nivel mundial x área

Mejor FOM (cifra de mérito) a nivel mundial

Carga de puerta ultrabaja

100% prueba de avalancha

Con protección Zener

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