MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP80N1K1K6, VDSS 800 V, ID 5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 287-7047
- Nº ref. fabric.:
- STP80N1K1K6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
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*precio indicativo
- Código RS:
- 287-7047
- Nº ref. fabric.:
- STP80N1K1K6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | STP80N | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.7nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 62W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie STP80N | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.7nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 62W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha diseñado utilizando la última tecnología MDmesh K6 basada en 20 años de experiencia de STMicroelectronics en tecnología de superunión. El resultado es el mejor de su clase en resistencia por área y carga de puerta para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.
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