MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP80N1K1K6, VDSS 800 V, ID 5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
287-7047
Nº ref. fabric.:
STP80N1K1K6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

STP80N

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

1.5V

Disipación de potencia máxima Pd

62W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha diseñado utilizando la última tecnología MDmesh K6 basada en 20 años de experiencia de STMicroelectronics en tecnología de superunión. El resultado es el mejor de su clase en resistencia por área y carga de puerta para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.

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