MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STW65N045M9-4, VDSS 650 V, ID 54 A, Mejora, TO-247-4 de 3 pines
- Código RS:
- 287-7055P
- Nº ref. fabric.:
- STW65N045M9-4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 287-7055P
- Nº ref. fabric.:
- STW65N045M9-4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 54A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-247-4 | |
| Serie | STW65N | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 45mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 312W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 54A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-247-4 | ||
Serie STW65N | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 312W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se basa en la tecnología MDmesh M9 de superunión más innovadora. La tecnología M9 basada en silicio se beneficia de un proceso de fabricación multidrenaje que permite mejorar la estructura del dispositivo. El producto resultante tiene una de las resistencias de encendido y valores de carga de puerta más bajos de todos los MOSFET de potencia de superunión de conmutación rápida basados en silicio, lo que lo hace especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una eficiencia sobresaliente.
Mayor capacidad dv/dt
Excelente rendimiento de conmutación
Fácil de manejar
100 por cien a prueba de avalanchas