MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay IRF740APBF, VDSS 400 V, ID 10 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 542-9399
- Nº ref. fabric.:
- IRF740APBF
- Fabricante:
- Vishay
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- 542-9399
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- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 400V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRF740A | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 550mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Tensión directa Vf | 2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 9.01mm | |
| Longitud | 10.41mm | |
| Anchura | 4.7mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 400V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRF740A | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 550mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Tensión directa Vf 2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 9.01mm | ||
Longitud 10.41mm | ||
Anchura 4.7mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie IRF740A de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 400 V, corriente de drenaje continua máxima de 10 A - IRF740APBF
Este MOSFET de potencia es un transistor de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para entornos industriales y de automatización exigentes. Maneja altas tensiones de drenaje a fuente y es adecuado para circuitos que requieren una capacidad de conmutación robusta y una capacidad de corriente continua moderada al tiempo que se monta en un formato de PCB de orificio pasante.
Características y ventajas:
• La tensión nominal de drenaje a fuente de 400 V proporciona capacidad de conmutación de alta tensión • La corriente de drenaje continua de 10 A admite un suministro de potencia sostenido • La baja Rds(on) de 550 mΩ reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento • La disipación de potencia de 125 W permite un manejo de alta potencia en los conjuntos • La carga de puerta típica de 36 nC permite un comportamiento de conmutación predecible • La temperatura máxima de funcionamiento de 150 °C tolera condiciones térmicas elevadas
Aplicaciones
• Apto para etapas de potencia de inversores y convertidores industriales • Ideal para conmutación de accionamiento de motor en sistemas de automatización • Se utiliza con fuentes de alimentación de alta tensión en equipos de prueba • Se puede utilizar para interruptores primarios de fuente de alimentación de modo conmutado • Apto para circuitos de protección y sustitución de relés de alta tensión
¿Qué método de montaje es necesario para un contacto térmico fiable?
Se suministra en un encapsulado de orificio pasante TO-220AB que permite una fijación segura del disipador térmico a través de la lengüeta de montaje trasera para una eliminación eficaz del calor.
¿Qué tolerancia tiene la puerta para controlar las excursiones de tensión?
La puerta acepta hasta 30 V entre la puerta y la fuente, lo que permite tensiones de accionamiento de puerta estándar al tiempo que protege contra sobretensión.
¿En qué rango de temperatura ambiente puede funcionar?
Funciona en un amplio rango de temperaturas de -55 °C hasta su límite de unión máximo de 150 °C para aplicaciones de temperatura elevada.
¿Cómo se comporta el dispositivo durante eventos de conmutación dura?
La carga de puerta especificada de 36 nC y las capacitancias del dispositivo definen las pérdidas de conmutación y la temporización, lo que ayuda a calcular los requisitos de accionamiento para topologías de conmutación dura.
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