MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 500 V, ID 2.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 542-9412
- Nº ref. fabric.:
- IRF820APBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 542-9412
- Nº ref. fabric.:
- IRF820APBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | IRF | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 50W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.41mm | |
| Altura | 9.01mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie IRF | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 50W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.41mm | ||
Altura 9.01mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia Vishay tiene una carga de puerta baja QG que proporciona un requisito de accionamiento sencillo y dispone de una mejor resistencia dv/dt dinámica, avalancha y puerta mejorada.
Unión de funcionamiento y rango de temperatura de almacenamiento: 55 a + 150 °C.
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