MOSFET Vishay IRF820APBF, VDSS 500 V, ID 2,5 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 542-9412
- Nº ref. fabric.:
- IRF820APBF
- Fabricante:
- Vishay
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Añadido
Precio Unidad
1,50 €
(exc. IVA)
1,82 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad |
| 1 - 9 | 1,50 € |
| 10 - 49 | 1,35 € |
| 50 - 99 | 1,27 € |
| 100 - 249 | 1,12 € |
| 250 + | 1,06 € |
- Código RS:
- 542-9412
- Nº ref. fabric.:
- IRF820APBF
- Fabricante:
- Vishay
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de canal N, de 500 V, Vishay Semiconductor
El MOSFET de potencia Vishay tiene una carga de puerta baja QG que proporciona un requisito de accionamiento sencillo y dispone de una mejor resistencia dv/dt dinámica, avalancha y puerta mejorada.
Unión de funcionamiento y rango de temperatura de almacenamiento: 55 a + 150 °C.
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 2,5 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 500 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220AB |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 3 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 50 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V |
| Ancho | 4.7mm |
| Longitud | 10.41mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 17 nC a 10 V |
| Material del transistor | Si |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 9.01mm |
- Código RS:
- 542-9412
- Nº ref. fabric.:
- IRF820APBF
- Fabricante:
- Vishay
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