MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 1.8 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Subtotal (1 unidad)*

0,88 €

(exc. IVA)

1,06 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • 766 Envío desde el 25 de marzo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
1 +0,88 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
542-9535
Nº ref. fabric.:
IRFBE20PBF
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-220

Serie

IRFBE

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.5Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

38nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.4V

Disipación de potencia máxima Pd

54W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.7 mm

Longitud

10.41mm

Altura

9.01mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Enlaces relacionados