MOSFET Infineon IRFB4710PBF, VDSS 100 V, ID 75 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 543-1465
Nº ref. fabric.:: IRFB4710PBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRFB4710PBF, VDSS 100 V, ID 75 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

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Producto Descatalogado

Código RS:: 543-1465
Nº ref. fabric.:: IRFB4710PBF
Fabricante:: Infineon

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Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	75 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	TO-220AB
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	14 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	3.5V
Disipación de Potencia Máxima	3,8 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	110 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Altura	8.77mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C