MOSFET onsemi BSS123LT1G, VDSS 100 V, ID 170 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 545-0135P
Nº ref. fabric.:: BSS123LT1G
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi BSS123LT1G, VDSS 100 V, ID 170 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

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Precio Unidad (suministrado en un carrete)**. Las cantidades inferiores a 150 unidades se suministran en una tira continua

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Unidades	Por unidad
100 - 240	0,189 €
250 - 490	0,164 €
500 - 990	0,144 €
1000 +	0,131 €

**precio indicativo

Código RS:: 545-0135P
Nº ref. fabric.:: BSS123LT1G
Fabricante:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	170 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	6 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.8V
Disipación de Potencia Máxima	225 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	1.3mm
Longitud	2.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Altura	0.94mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET onsemi BSS123LT1G, VDSS 100 V, ID 170 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor