MOSFET onsemi FDD8445, VDSS 40 V, ID 70 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 671-0365
- Nº ref. fabric.:
- FDD8445
- Fabricante:
- onsemi
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| Unidades | Por unidad | Por Pack* |
| 5 - 45 | 1,194 € | 5,97 € |
| 50 - 95 | 1,016 € | 5,08 € |
| 100 - 245 | 0,78 € | 3,90 € |
| 250 - 495 | 0,744 € | 3,72 € |
| 500 + | 0,70 € | 3,50 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 671-0365
- Nº ref. fabric.:
- FDD8445
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de canal N para aplicaciones de automoción, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor proporciona soluciones que resuelven problemas complejos en el mercado de la automoción con minuciosos estándares de calidad, seguridad y fiabilidad.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 70 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 40 V |
| Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) |
| Serie | PowerTrench |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 16 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 79000 mW |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Ancho | 6.22mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Longitud | 6.73mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 45 nC a 10 V |
| Material del transistor | Si |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 2.39mm |
- Código RS:
- 671-0365
- Nº ref. fabric.:
- FDD8445
- Fabricante:
- onsemi
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