MOSFET onsemi FDMC2523P, VDSS 150 V, ID 1.8 A, MLPAK33 de 8 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 671-0387
- Nº ref. fabric.:
- FDMC2523P
- Fabricante:
- onsemi
Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
1,416 €
(exc. IVA)
1,713 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
---|---|---|
5 + | 1,416 € | 7,08 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 671-0387
- Nº ref. fabric.:
- FDMC2523P
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de canal P QFET®, Fairchild Semiconductor
El nuevo MOSFET planar QFET® de Fairchild Semiconductor utiliza una tecnología patentada avanzada para ofrecer el mejor rendimiento en funcionamiento de su clase en una amplia gama de aplicaciones, incluidas las fuentes de alimentación, PFC (corrección de factor de potencia), convertidores dc-dc, paneles de pantalla de plasma (PDP), balastos de iluminación y control de movimiento.
Ofrecen una reducción de pérdida en funcionamiento al bajar la resistencia (RDS(on)), y una menor pérdida de conmutación al reducir la carga de compuerta (QG) y la capacitancia de salida (Coss). Mediante el uso de la avanzada tecnología del proceso QFET®, Fairchild puede ofrecer un factor de mérito (FOM) mejorado superior a los dispositivos MOSFET planar de la competencia.
Ofrecen una reducción de pérdida en funcionamiento al bajar la resistencia (RDS(on)), y una menor pérdida de conmutación al reducir la carga de compuerta (QG) y la capacitancia de salida (Coss). Mediante el uso de la avanzada tecnología del proceso QFET®, Fairchild puede ofrecer un factor de mérito (FOM) mejorado superior a los dispositivos MOSFET planar de la competencia.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | P |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 1.8 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 150 V |
Tipo de Encapsulado | MLPAK33 |
Serie | QFET |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 8 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 3,6 Ω |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta mínima | 3V |
Disipación de Potencia Máxima | 42000 mW |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 6,2 nC a 10 V |
Ancho | 3mm |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Longitud | 3mm |
Material del transistor | Si |
Altura | 0.95mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Enlaces relacionados
- MOSFET onsemi FDMC2523P, VDSS 150 V, ID 1,8 A, MLP8 de 8 pines, ,...
- MOSFET onsemi FQD2N80TM, VDSS 800 V, ID 1.8 A, DPAK (TO-252) de 3...
- MOSFET onsemi FDD770N15A, VDSS 150 V, ID 11,4 A, DPAK (TO-252) de...
- MOSFET onsemi FDMS86255, VDSS 150 V, ID 45 A, PQFN8 de 8 pines, ,...
- MOSFET onsemi FDP2532, VDSS 150 V, ID 8 A, TO-220AB de 3 pines, ,...
- MOSFET onsemi FDB2572, VDSS 150 V, ID 29 A, D2PAK (TO-263) de 3...
- MOSFET onsemi FDMS86252L, VDSS 150 V, ID 12 A, PQFN8 de 8 pines, ,...
- MOSFET onsemi FDC86244, VDSS 150 V, ID 2,3 A, SOT-23 de 6 pines, ,...