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    MOSFET, FDN340P, P-Canal, 2 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23 PowerTrench Simple Si

    Código RS:
    671-0435
    Nº ref. fabric.:
    FDN340P
    Fabricante:
    onsemi
    onsemi
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    Producto Descatalogado
    Código RS:
    671-0435
    Nº ref. fabric.:
    FDN340P
    Fabricante:
    onsemi

    Legislación y Conformidad


    Datos del Producto

    MOSFET de canal P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


    Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc.
    Los MOSFET PowerTrench® emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de las generaciones anteriores.
    El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar los circuitos amortiguadores o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.



    Transistores MOSFET, ON Semi


    On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
    En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.


    Especificaciones

    AtributoValor
    Tipo de CanalP
    Corriente Máxima Continua de Drenaje2 A
    Tensión Máxima Drenador-Fuente20 V
    Tipo de EncapsuladoSOT-23
    Tipo de MontajeMontaje superficial
    Conteo de Pines3
    Resistencia Máxima Drenador-Fuente70 mΩ
    Modo de CanalMejora
    Tensión de umbral de puerta mínima0.4V
    Disipación de Potencia Máxima500 mW
    Configuración de transistorSimple
    Tensión Máxima Puerta-Fuente-8 V, +8 V
    Número de Elementos por Chip1
    Carga Típica de Puerta @ Vgs7,2 nC a 4,5 V
    Ancho1.4mm
    Longitud2.92mm
    Temperatura Máxima de Funcionamiento+150 °C
    Material del transistorSi
    SeriePowerTrench
    Altura0.94mm
    Temperatura de Funcionamiento Mínima-55 °C
    Producto Descatalogado