MOSFET onsemi FDS4435BZ, VDSS 30 V, ID 8,8 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 671-0508
Nº ref. fabric.:: FDS4435BZ
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDS4435BZ, VDSS 30 V, ID 8,8 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

95 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)

0,632 €

(exc. IVA)

0,765 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
5 - 20	0,632 €	3,16 €
25 - 120	0,366 €	1,83 €
125 - 620	0,272 €	1,36 €
625 - 1245	0,256 €	1,28 €
1250 +	0,25 €	1,25 €

*precio indicativo

Código RS:: 671-0508
Nº ref. fabric.:: FDS4435BZ
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal P para aplicaciones de automoción, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor proporciona soluciones que resuelven problemas complejos en el mercado de la automoción con minuciosos estándares de calidad, seguridad y fiabilidad.

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	8,8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	SOIC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	20 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	2,5 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-25 V, +25 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	4mm
Longitud	5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	29 nC a 10 V
Altura	1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C