MOSFET, N-Canal onsemi FDS6680A, VDSS 30 V, ID 12.5 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- Código RS:
- 671-0605
- Nº ref. fabric.:
- FDS6680A
- Fabricante:
- onsemi
Consigue un descuento por cantidad
Añade 25 más para ahorrar un 17%
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 5 unidades)*
6,42 €
(exc. IVA)
7,77 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponibilidad limitada
- Disponible(s) 20 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
- Disponible(s) 1845 unidad(es) más para enviar a partir del 17 de noviembre de 2026
Nuestras existencias actuales son limitadas y los proveedores prevén escasez de productos.
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* | Ahorro |
|---|---|---|---|
| 5 - 20 | 1,284 € | 6,42 € | - |
| 25 - 95 | 1,056 € | 5,28 € | 17% |
| 100 - 245 | 0,696 € | 3,48 € | 45% |
| 250 - 495 | 0,656 € | 3,28 € | 48% |
| 500 + | 0,628 € | 3,14 € | 51% |
*precio indicativo
- Código RS:
- 671-0605
- Nº ref. fabric.:
- FDS6680A
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Tensión directa Vf | 700mV | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Anchura | 4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie PowerTrench | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Tensión directa Vf 700mV | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5mm | ||
Anchura 4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N PowerTrench®, de 10 A a 19,9 A, Fairchild Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 250 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SOIC de 8 pines