MOSFET onsemi FQB6N80TM, VDSS 800 V, ID 5.8 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 671-0927
Nº ref. fabric.:: FQB6N80TM
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FQB6N80TM, VDSS 800 V, ID 5.8 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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Producto Descatalogado

Código RS:: 671-0927
Nº ref. fabric.:: FQB6N80TM
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: MY

Datos del Producto

MOSFET de canal N QFET®, hasta 5,9 A, Fairchild Semiconductor

El nuevo MOSFET planar QFET® de Fairchild Semiconductor utiliza una tecnología patentada avanzada para ofrecer el mejor rendimiento en funcionamiento de su clase en una amplia gama de aplicaciones, incluidas las fuentes de alimentación, PFC (corrección de factor de potencia), convertidores dc-dc, paneles de pantalla de plasma (PDP), balastos de iluminación y control de movimiento.
Ofrecen una reducción de pérdida en funcionamiento al bajar la resistencia (RDS(on)), y una menor pérdida de conmutación al reducir la carga de compuerta (QG) y la capacitancia de salida (Coss). Mediante el uso de la avanzada tecnología del proceso QFET®, Fairchild puede ofrecer un factor de mérito (FOM) mejorado superior a los dispositivos MOSFET planar de la competencia.

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	5.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	800 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	1,95 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	3V
Disipación de Potencia Máxima	3130 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	31 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	10.67mm
Ancho	9.65mm
Material del transistor	Si
Altura	4.83mm
Serie	QFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C