MOSFET onsemi FQD17P06TM, VDSS 60 V, ID 12 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 671-0968P
Nº ref. fabric.:: FQD17P06TM
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FQD17P06TM, VDSS 60 V, ID 12 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 671-0968P
Nº ref. fabric.:: FQD17P06TM
Fabricante:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1
Product Change Notification

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	135 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	2500 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-25 V, +25 V
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	21 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	6.73mm
Ancho	6.22mm
Altura	2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET onsemi FQD17P06TM, VDSS 60 V, ID 12 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de canal P de modo de mejora, on Semiconductor

Características y ventajas:

Aplicaciones: