MOSFET, N-Canal onsemi NDT3055L, VDSS 60 V, ID 4 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 671-1090
- Número de artículo Distrelec:
- 304-43-740
- Nº ref. fabric.:
- NDT3055L
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
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| 100 - 495 | 0,89 € | 4,45 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 671-1090
- Número de artículo Distrelec:
- 304-43-740
- Nº ref. fabric.:
- NDT3055L
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | NDT | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 100mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -65°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.56mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Altura | 1.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie NDT | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 100mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -65°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.56mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.5mm | ||
Altura 1.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
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