MOSFET onsemi NDT2955, VDSS 60 V, ID 2,5 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 124-1725
- Nº ref. fabric.:
- NDT2955
- Fabricante:
- onsemi
84000 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 4000)
0,188 €
(exc. IVA)
0,227 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
| 4000 + | 0,188 € | 752,00 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 124-1725
- Nº ref. fabric.:
- NDT2955
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de canal P de modo de mejora, on Semiconductor
La gama de MOSFET de canal P de on Semiconductors se fabrica con tecnología DMOS de alta densidad celular propia DE ON Semi. Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia de encendido para proporcionar un rendimiento robusto y fiable para una conmutación rápida.
Características y ventajas:
• interruptor de señal pequeña de canal P controlado por tensión
• Diseño de celdas de alta densidad
• corriente de saturación alta
• conmutación superior
• Gran rendimiento robusto y fiable
• Tecnología DMOS
• Diseño de celdas de alta densidad
• corriente de saturación alta
• conmutación superior
• Gran rendimiento robusto y fiable
• Tecnología DMOS
Aplicaciones:
• Conmutación De Carga
• Convertidor CC/CC
• Protección de la batería
• Control de administración de energía
• Control del motor de CC
• Convertidor CC/CC
• Protección de la batería
• Control de administración de energía
• Control del motor de CC
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | P |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 2,5 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
| Tipo de Encapsulado | SOT-223 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 300 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 3 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 11 nC a 10 V |
| Longitud | 6.5mm |
| Material del transistor | Si |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Ancho | 3.56mm |
| Altura | 1.6mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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