MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 20 V, ID 8.4 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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Código RS:
121-6514
Nº ref. fabric.:
NTF6P02T3G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

8.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

NTF6P02

Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

70mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

8.3W

Tensión directa Vf

-1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.7mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

3.7 mm

Altura

1.65mm

Estándar de automoción

AEC

COO (País de Origen):
MY

MOSFET de potencia de canal P, 20 V, ON Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semiconductor


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