Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NVF6P02T3G, VDSS 20 V, ID 8.4 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

Código RS:: 805-1996
Nº ref. fabric.:: NVF6P02T3G
Fabricante:: onsemi

MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NVF6P02T3G, VDSS 20 V, ID 8.4 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

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Código RS:: 805-1996
Nº ref. fabric.:: NVF6P02T3G
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	8.4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Serie	NVF6P02
	Encapsulado	SOT-223
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	70mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	8.3W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	15nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	1.65mm
	Longitud	6.7mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 8.4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Serie NVF6P02
	Encapsulado SOT-223
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 70mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf -1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 8.3W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 1.65mm
	Longitud 6.7mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción AEC-Q101

MOSFET de potencia de canal P, 20 V, ON Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semiconductor

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